Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27€ | 1.54€ |
5 - 9 | 1.21€ | 1.46€ |
10 - 24 | 1.14€ | 1.38€ |
25 - 41 | 1.08€ | 1.31€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27€ | 1.54€ |
5 - 9 | 1.21€ | 1.46€ |
10 - 24 | 1.14€ | 1.38€ |
25 - 41 | 1.08€ | 1.31€ |
Transistor canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF830. Transistor canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 21:25.
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