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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710

Transistor canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710
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5 - 9 4.23€ 5.12€
10 - 24 4.10€ 4.96€
25 - 49 4.01€ 4.85€
50 - 58 3.92€ 4.74€
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Transistor canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRFB4710. Transistor canal N, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 53A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FB4710. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 06:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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Transistor canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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