Transistor canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A

Transistor canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V - IRFB9N65A. Transistor canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 8.5A. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 650V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Dissipation de puissance maxi: 167W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité en stock actualisée le 23/04/2025, 01:25.