Transistor canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A - IRFD024PBF

Transistor canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A - IRFD024PBF. Transistor canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 2.5A. Tension grille/source Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Max: 1.3W. Type de montage: THT. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 06:25.