Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80€ | 0.97€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 120 | 0.65€ | 0.79€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80€ | 0.97€ |
5 - 9 | 0.76€ | 0.92€ |
10 - 24 | 0.72€ | 0.87€ |
25 - 49 | 0.68€ | 0.82€ |
50 - 99 | 0.67€ | 0.81€ |
100 - 120 | 0.65€ | 0.79€ |
Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR110. Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 21:25.
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