Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A - IRFR110PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A - IRFR110PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFR110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 04:25.