Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50€ | 1.82€ |
5 - 9 | 1.42€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.63€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 204 | 1.09€ | 1.32€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50€ | 1.82€ |
5 - 9 | 1.42€ | 1.72€ |
10 - 24 | 1.35€ | 1.63€ |
25 - 49 | 1.27€ | 1.54€ |
50 - 99 | 1.24€ | 1.50€ |
100 - 204 | 1.09€ | 1.32€ |
Transistor canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ48N. Transistor canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 16:25.
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