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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD

Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD
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Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IRG4PC40KD. Transistor canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 42 ns. Courant de collecteur: 42A. Ic(puls): 84A. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ultra rapide, pour des fréquences de fonctionnement élevées de 8 à 40 kHz. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 17:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non
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Transistor canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 160A. Marquage sur le boîtier: G20N60B3D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 165W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non
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