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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50. Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Id(imp): 176A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 08:25.

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Boîtier (norme JEDEC): 25. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK48N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 8400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns
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