Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 50V, 14A - RFD14N05L

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 50V, 14A - RFD14N05L. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 50V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 21:25.