Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY

Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V - SI4840BDY. Transistor canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 18:25.