Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3

Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3. Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 14:25.