Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.85€ | 1.03€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.97€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.92€ |
25 - 49 | 0.72€ | 0.87€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.85€ |
100 - 249 | 0.69€ | 0.83€ |
250 - 1933 | 0.59€ | 0.71€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.85€ | 1.03€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.97€ |
10 - 24 | 0.76€ | 0.92€ |
25 - 49 | 0.72€ | 0.87€ |
50 - 99 | 0.70€ | 0.85€ |
100 - 249 | 0.69€ | 0.83€ |
250 - 1933 | 0.59€ | 0.71€ |
Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V - STQ1NK60ZR-AP. Transistor canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. Id (T=100°C): 0.189A. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 13 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammopak. Tension Vds(max): 600V. C (in): 94pF. C (out): 17.6pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 135 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 1NK60ZR. Dissipation de puissance maxi: 3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection Zener, capacité ESD améliorée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 21:25.
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