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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N

Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N
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1 - 1 15.94€ 19.29€
2 - 2 15.14€ 18.32€
3 - 4 14.82€ 17.93€
5 - 9 14.34€ 17.35€
10 - 14 14.02€ 16.96€
15 - 19 13.55€ 16.40€
20+ 13.07€ 15.81€
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1 - 1 15.94€ 19.29€
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Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60N. Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 35A. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Idm--140Ap(pulsed). Dissipation de puissance maxi: 255W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh II. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 16:25.

Documentation technique

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STW45NM60
Transistor canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 417W. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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