Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A - SUP75N03-04

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A - SUP75N03-04. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Siliconix. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.