Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A - VNB49N04

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A - VNB49N04. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.