Transistor canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085

Transistor canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P-F085. Transistor canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 630pF. C (out): 160pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 250uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FDC642P. Marquage sur le boîtier: FDC642P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Résistance passante Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 10:25.