Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120

Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 04:25.