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Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM

Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM
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5 - 9 1.94€ 2.35€
10 - 24 1.88€ 2.27€
25 - 49 1.83€ 2.21€
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Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V - RFD8P05SM. Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 50V. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 20A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Harris. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.

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SPD08P06P

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SPD08P06P
Transistor canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Idss (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 35.2A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V
SPD08P06P
Transistor canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Idss (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 35.2A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V
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