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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401DY
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Transistor canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401DY. Transistor canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.9A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 23:25.

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