Transistor canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

Transistor canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. Transistor canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 3.8A. Idss (min): 1nA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.