Transistor FDC638P

Transistor FDC638P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23/6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: .638. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.