Transistor FDN5618P

Transistor FDN5618P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 618. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 430pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.