Transistor FDV303N

Transistor FDV303N. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 303. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.