Transistor FGA40N65SMD-DIóDA

Transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.