Transistor FGB20N60SF

Transistor FGB20N60SF. Transistor. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 2. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.