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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor FJAF6810D

Transistor FJAF6810D
[TITLE]
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Quantité HT TTC
1 - 4 3.29€ 3.98€
5 - 9 3.12€ 3.78€
10 - 24 2.96€ 3.58€
25 - 49 2.79€ 3.38€
50 - 99 2.73€ 3.30€
100 - 142 2.66€ 3.22€
Quantité U.P
1 - 4 3.29€ 3.98€
5 - 9 3.12€ 3.78€
10 - 24 2.96€ 3.58€
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Lot de 1

Transistor FJAF6810D. Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High V Color Display Hor Defl (with Damper Diode)'. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: J6810D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Vebo: 6V. Nombre de connexions: 3. Remarque: sérigraphié J6810D. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: High Switching Speed--tF(typ.)=0.1uS. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

En rupture de stock
KSC5386TU

KSC5386TU

Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Q...
KSC5386TU
Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui
KSC5386TU
Transistor. Résistance BE: 10. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: High Switching 0.1us. Gain hFE maxi: 22. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 7A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 4.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Boîtier: TO-3PF (SOT399). Diode BE: non. Diode CE: oui
Lot de 1
10.16€ TTC
(8.40€ HT)
10.16€

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