Transistor FP25R12W2T4

Transistor FP25R12W2T4. Transistor. C (in): 1.45pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 39A. Ic(puls): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensions: 56.7x48x12mm. Dissipation de puissance maxi: 175W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: Module hybride IGBT. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Nombre de connexions: 33dB. Remarque: 7x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.