Transistor FQA70N10

Transistor FQA70N10. Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Id (T=100°C): 49.5A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (85nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.