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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQP13N50

Transistor FQP13N50
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Transistor FQP13N50. Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 245pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 7.9A. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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