Transistor FQP13N50C

Transistor FQP13N50C. Transistor. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 195W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Spec info: Faible charge de grille (43nC typique). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.