Transistor FQP19N10

Transistor FQP19N10. Transistor. C (in): 600pF. C (out): 165pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 78 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 13.5A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.078 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.