Transistor FQP3P50

Transistor FQP3P50. Transistor. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Id (T=100°C): 1.71A. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.