Transistor FQP85N06

Transistor FQP85N06. Transistor. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 03:25.