Transistor FS75R12KE3GBOSA1

Transistor FS75R12KE3GBOSA1. Transistor. C (in): 5300pF. Type de canal: N. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Nombre de connexions: 35. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.