Transistor GT35J321

Transistor GT35J321. Transistor. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 37A. Ic(puls): 100A. Ic(T=100°C): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Boîtier: TO-3P( N )IS. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.