Transistor HGTG10N120BND

Transistor HGTG10N120BND. Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 17A. Marquage sur le boîtier: 10N120BND. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.