Transistor HGTG12N60C3D

Transistor HGTG12N60C3D. Transistor. Type de canal: N. Fonction: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Courant de collecteur: 24A. Ic(puls): 96A. Ic(T=100°C): 12A. Marquage sur le boîtier: G12N60C3D. Dissipation de puissance maxi: 104W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 270 ns. Td(on): 14 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.