Transistor IGP03N120H2

Transistor IGP03N120H2. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G03H1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 281 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Courant de collecteur maxi (A): 9.9A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 01:25.