Transistor IGW75N60H3

Transistor IGW75N60H3. Transistor. C (in): 4620pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 140A. Ic(puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marquage sur le boîtier: G75H603. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 428W. RoHS: oui. Délai de livraison: KB. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.