Transistor IHW20N135R5

Transistor IHW20N135R5. Transistor. C (in): 1360pF. C (out): 43pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: H20PR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 288W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1350V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.