Transistor IKW50N60T

Transistor IKW50N60T. Transistor. C (in): 3140pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 143 ns. Fonction: VCEsat très faible. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Marquage sur le boîtier: K50T60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 333W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.