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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor IPB020N10N5LFATMA1

Transistor IPB020N10N5LFATMA1
Quantité HT TTC
1 - 1 34.80€ 42.11€
2 - 2 33.06€ 40.00€
3 - 4 31.32€ 37.90€
5 - 9 29.58€ 35.79€
10 - 14 28.88€ 34.94€
15 - 19 28.19€ 34.11€
20 - 50 27.14€ 32.84€
Quantité U.P
1 - 1 34.80€ 42.11€
2 - 2 33.06€ 40.00€
3 - 4 31.32€ 37.90€
5 - 9 29.58€ 35.79€
10 - 14 28.88€ 34.94€
15 - 19 28.19€ 34.11€
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Quantité en stock : 50
Lot de 1

Transistor IPB020N10N5LFATMA1. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 22:25.

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