Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 34.80€ | 42.11€ |
2 - 2 | 33.06€ | 40.00€ |
3 - 4 | 31.32€ | 37.90€ |
5 - 9 | 29.58€ | 35.79€ |
10 - 14 | 28.88€ | 34.94€ |
15 - 19 | 28.19€ | 34.11€ |
20 - 50 | 27.14€ | 32.84€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 34.80€ | 42.11€ |
2 - 2 | 33.06€ | 40.00€ |
3 - 4 | 31.32€ | 37.90€ |
5 - 9 | 29.58€ | 35.79€ |
10 - 14 | 28.88€ | 34.94€ |
15 - 19 | 28.19€ | 34.11€ |
20 - 50 | 27.14€ | 32.84€ |
Transistor IPB020N10N5LFATMA1. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 22:25.
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