Transistor IPB80N03S4L-02

Transistor IPB80N03S4L-02. Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 1900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 4N03L02. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 22:25.