Transistor IRF1310N

Transistor IRF1310N. Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 22:25.