Transistor IRF2807SPBF

Transistor IRF2807SPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F2807S. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 21:25.