Transistor IRF510PBF

Transistor IRF510PBF. Transistor. Marquage du fabricant: IRF510PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 5.6A. Puissance: 43W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension drain - source (Vds): 100V. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 18:25.