Transistor IRF5210SPBF

Transistor IRF5210SPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5210S. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 18:25.