Transistor IRF7233

Transistor IRF7233. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7233. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 77 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 10:25.