Transistor IRF7309TRPBF

Transistor IRF7309TRPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 07:25.